SK海力士41周年 | “闪耀40+1” 奠定40年技术实力,跃居第一

time: 2024-10-12      来源:SK海力士 重庆市外商投资企业协会

自1983年开始半导体业务的SK海力士,经过40年的不懈努力和创新,已跃升成为全球顶级面向AI的存储器公司(Global No.1 AI Company)。在经历了40年技术辉煌之后,今年,公司迎来了全新篇章的开启——“40+1复兴元年”,持续巩固其领先地位。这一系列卓越成就的背后,是融合了HBM、PIM和CXL®等先进工艺和封装技术的面向AI的存储器产品阵容。值此SK海力士成立41周年之际,公司将回顾这些革新产品蕴含的历史、技术和成员们的努力。

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经过40年的不懈努力和创新,

SK海力士已跃升成为全球顶级面向AI的存储器公司



在HBM及AI兴起的背景下, 

SK海力士以HBM占据主导地位




“人工智能产业的蓬勃发展”对SK海力士成为全球存储器市场领导者起到了重要作用。自2022年生成式人工智能问世以来,各种产品和服务纷纷围绕人工智能进行了重组,促使人工智能技术迅速演进。相应地,处理海量数据、支持快速学习和推理所需的高性能存储器需求也显著攀升。SK海力士顺应这一市场变化,提供了卓越的高性能存储器解决方案,在人工智能产业发展中扮演了关键角色。

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SK海力士HBM的发展历程

早在人工智能风潮全面兴起之前,SK海力士便已通过专注开发以高带宽快速传递大容量数据的高带宽存储器(HBM, High Bandwidth Memory),奠定了其在行业中的卓越地位。尤其是凭借HBM2E的成功推出,不仅占据了市场领先地位,还显著扩大了影响力。此外,以针对AI和高性能计算(HPC)优化的HBM3获得了高度关注,更进一步提升公司声誉。最为重要的是,公司与英伟达建立合作关系,为其提供该存储器产品,从而成为AI及数据中心领域的重要战略伙伴。至此,SK海力士已然崛起为HBM领域的巨头,占据该市场50%的份额。


2024年,SK海力士在面向AI的存储器市场中,依然稳居主导地位。2023年,公司成功开发出行业最高性能的 HBM3E(第五代),并于今年开始向全球顶级IT公司供应。该产品具备每秒处理1.2TB(太字节)数据的强大能力,进一步巩固了SK海力士作为全球行业领导者的地位。




历经15年潜心研发的HBM技术

及下一代HBM




SK海力士的“HBM成功故事”可追溯至2009年。当时,公司认为硅通孔技术(TSV, Through Silicon Via)1和晶圆级封装(WLP, Wafer-Level Package)2技术可以克服存储器性能的局限性,因而开始了全面而深入的研发。四年后,基于这些前沿技术,公司推出了第一代HBM。这款具有革命性的存储器产品因其创新性备受瞩目,但由于高性能计算市场尚未成熟以广泛采用HBM,其市场反响并未如预期般爆发。


1硅通孔技术(TSV,Through Silicon Via): 一种在DRAM芯片上打数千个微孔使其上下两层垂直互连至电极的先进封装(Advanced Packaging)技术。

2晶圆级封装(WLP,Wafer-Level Package): 在传统封装工艺中,晶圆被切割成芯片后再进行封装。而这项技术则是在晶圆级别时就完成封装,并制造最终产品。

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历经15年潜心研发的HBM技术

尽管如此,SK海力士并没有停下脚步,而是持续致力于深入开发,公司目标始终指向 “最高性能”。在这一过程中,公司将散热和生产效率兼具的批量回流模制底部填充(MR-MUF,Mass Reflow Molded UnderFill)技术应用于HBM2E,从而改变了市场格局。此后,公司又为HBM3和HBM3E研发出集薄芯片堆叠、散热和生产效率于一身的先进MR-MUF技术。基于这项技术,公司在2023年成功量产了12层堆叠HBM3(24GB)2024年成功量产了12层堆叠HBM3E(36GB),接连创下“行业最高性能 ”的新纪录。


取得这些成就的背后,正是因为公司敏锐地捕捉到了人工智能热潮所带来的时代机遇。SK海力士适时地推出面向AI的存储器产品,完美地契合了市场需求。这不仅仅是偶然,而是通过15年的研究和开发积累的技术力量、全体成员对此深信不疑的信念,以及对未来战略性投资的前瞻性策略,才孕育出的成果。


今年,SK海力士为进一步巩固其面向AI领域的领导力,持续实施了一系列战略举措。今年4月,公司签署了一项投资协议,计划在美国印第安纳州建立先进封装生产基地,包括下一代HBM在内的面向AI的存储器将在这里集中制造。同月,公司还与台积电达成了一项技术合作协议。至此,这些举措将有效构建客户、代工厂和存储器之间的三方协作体系,推动存储器性能的不断提升,从而在人工智能市场上持续获得竞争优势。




与HBM并驾齐驱,

不断创新并加强面向AI的存储器产品阵容




SK海力士的挑战和革新正在全方位地渗透存储器各个领域。公司以“存储器为中心(memory-centric)”3作为愿景,依托四十年积累的技术实力,正在致力于开发多种面向的AI存储器产品。尤其是今年,通过对PIM、CXL、AI SSD的研发,进一步丰富了产品阵容,创造一个复兴之年。


3存储器为中心(Memory Centric):半导体存储器在信息和通信技术设备中发挥核心作用

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与HBM并驾齐驱,

不断创新并加强面向AI的存储器产品阵容

PIM(Processing-in-Memory)是SK海力士备受瞩目的智能型半导体存储器, 是打破储存和运算界限的革新产品。该存储器集成了运算用处理器,起到生成和传输AI运算所需数据的作用。SK海力士已经推出了PIM产品“GDDR6-AiM(Accelerator-in-Memory)”,并在去年推出了可以连接多个该产品提高性能的加速器卡"AiMX(AiM based Accelerator)"。今年,公司推出了AiMX 32GB产品,容量增加了一倍,受到了业界的广泛关注。


此外,SK海力士正在积极投资于CXL(Compute eXpress Link),CXL是一种可以整合CPU、存储器等不同装置不同接口的技术,利用它,可以轻松扩展内存带宽和容量。今年5月,公司推出了“CMM(CXL Memory Module)-DDR5”,与DDR5相比,其带宽增加了50%,容量增加了100%。9月,公司将其CXL优化软件HMSDK4的主要功能搭载在开源操作系统Linux上,确立了CXL技术利用的标准。


4异构存储器软件开发套件(HMSDK,Heterogeneous Memory S/W Development Kit):SK海力士独有的异构存储器软件开发工具。通过有效的存储器控制,提高包括CXL存储器在内的异构存储器系统的性能


与此同时,SK海力士还致力于开发用于人工智能服务器和数据中心的超高速、大容量eSSD。例如公司与Solidigm合作开发的“60TB QLC(Quad Level Cell) eSSD”就是一个典型的例子。该产品的特点是,每个存储单元储存4bit(比特),耗电量低。除此之外,公司还计划开发一款容量为300TB的eSSD产品,并于2025年发布。


端侧AI方面,公司的产品阵容也很稳固。2023年1月,SK海力士开发出低功耗DRAM LPDDR5T,有效提升了人工智能智能手机的性能;同年11月,SK海力士又推出了LPDDR5X的模块化产品LPCAMM2,LPCAMM2预计将在人工智能台式机和笔记本电脑中发挥卓越性能;同时,适用于AI PC的高性能cSSD“PCB01”,以及适用于AI的移动端NAND闪存解决方案“ZUFS(Zoned UFS)4.0”也相继完成了开发。




全方位人工智能存储器,SK海力士描绘的未来

“AI的核心(The Heart of AI)”




2024年,人们正在使用人工智能制作报告、设计图像,甚至创作各种创意作品。在医疗行业,正在以人工智能提供的建议进行诊断;在教育领域,人工智能化身老师的助手。这些实例屡见不鲜,随着人工智能技术不断演进,未来将迎来更加丰富多彩的发展前景。

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SK海力士期望以更为先进的技术确保其差异化竞争优势,

从而在未来市场中稳居领先地位

其核心在于面向AI的存储器。包括HBM、PIM、CXL、SSD等多种用于AI的存储器,能够以更高的带宽迅速传输海量数据,或将计算结果直接反馈至处理器,从而最大限度地消除瓶颈,显著提升人工智能的学习与推理性能。此外,这些技术还将优化AI系统的能源效率,为构建可持续发展的环保型AI基础设施贡献力量。随着上述面向AI的存储器不断演进,其应用前景将扩展至自动驾驶、医疗保健等更广泛领域,以提供更加迅捷、高效的人工智能服务。


为了实现这一美好憧憬,SK海力士不断突破技术限制。为迎合多元化的人工智能服务需求,公司正在全力开发最契合客户需求的定制化面向AI的存储器,并致力于开发基于创新设备的新兴存储器5。通过持续加大对技术创新的投资,SK海力士期望以更为先进的技术确保其差异化竞争优势,从而在未来市场中稳居领先地位。


5新兴存储器(Emerging Memory):与DRAM或NAND等传统存储器技术相比,基于新形式或新原理的存储器技术。例如ReRAM*、MRAM*和PCM*。
*阻变随机存取存储器(ReRAM,Resistive Random-Access Memory):一种通过其内部灯丝结构来施加电压,以存储数据的半导体存储器。随着制程工艺微细化,其信息存储量也相应增加, 同时具备功耗低的优点。

*磁性随机存取存储器(MRAM,Magnetic Random Access Memory):利用电荷和自旋,根据自旋的方向,实现元件电阻发生变化的半导体存储器。

*相变存储器(PCM,Phase-Change Memory):一种利用特定物质的相变来储存数据的半导体存储器。具有闪存(Flash Memory)的优点,即关掉电源也不会删除信息,同时具有DRAM处理速度快的优点。


世界半导体贸易统计组织(WSTS)预测,今年的半导体市场将比去年增长16%。其中,半导体存储器预计将增长76.8%。有分析认为,HBM等面向AI的存储器爆发性需求增加,是增长的主要原因。

站在AI这个巨大潮流的前沿,SK海力士以其深厚的历史积淀为基石,正蓄势待发,准备迎接新的飞跃。这家拥有41年历史的公司,旨在巩固其在HBM领域的领先地位,并在下一代半导体市场中占据主导地位,引领所有产品都作为“AI的核心”动力的这一伟大时代。


来源:SK海力士